描述：單晶少子壽命測試儀
參考美國 A.S.T.M 標準而設(shè)計的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測試項目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測量包括集成電路級硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。

廠商性質(zhì)
其他
更新時間
2024-09-09
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單晶少子壽命測試儀

TR-LT-2型單晶少子壽命測試儀是參考美國 A.S.T.M 標準而設(shè)計的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測試項目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測量包括集成電路級硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。

本儀器根據(jù)通用方法高頻光電導(dǎo)衰退法的原理設(shè)計，由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器，特制的InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機結(jié)構(gòu)緊湊、測量數(shù)據(jù)可靠。

技　術(shù)　指　標：

測試單晶電阻率范圍	>2Ω.cm
可測單晶少子壽命范圍	5μS～7000μS
配備光源類型	波長：1.09μm；余輝<1 μS；閃光頻率為：20～30次／秒；閃光頻率為：20～30次／秒；
高頻振蕩源	用石英諧振器，振蕩頻率：30MHz
前置放大器	放大倍數(shù)約25，頻寬2 Hz-1 MHz
儀器測量重復(fù)誤差	<±20％
測量方式	采用對標準曲線讀數(shù)方式
儀器消耗功率	<25W
儀器工作條件	溫度： 10-35℃、濕度 < 80％、使用電源：AC 220V，50Hz
可測單晶尺寸	斷面豎測：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；縱向臥測：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；
配用示波器	頻寬0—20MHz；電壓靈敏：10mV／cm

產(chǎn)品名稱：微量水分測定儀
產(chǎn)品型號：SF-5

微量水分測定儀型號：SF-5
　　儀器符合GB/T7600；SH/T0246；GB/T606及采用卡爾—費休法測定樣品中水分的有關(guān)標準。儀器采用了自動控制電路，電解電流自動跟蹤控制，外型結(jié)構(gòu)新穎，增加了過碘指示和儀器故障自動檢測功能，從而使該儀器工作更可靠，使用更方便，具有分析速度快（一分鐘出結(jié)果）、操作簡便、精度高、自動性強等特點，廣泛應(yīng)用于石油、化工、電力、鐵路、農(nóng)藥、醫(yī)藥、環(huán)保等部門。
技術(shù)參數(shù)
測定方式：  卡爾—費休庫侖法
顯    示：  5位LED數(shù)字顯示
讀出單位：  μgH2O
電解電流：  0～300mA自動控制
測定范圍：  3μg-100mg（H2O）
靈敏閾：  0.1μgH2O
功能指示：  過碘和儀器故障自動檢測
準確度：  （不含進樣誤差）3μg－1mgH2O不大于±0.3%；1mg以上H2O不大于±0.5%
電    源：  AC220V±10% ； 50Hz±5%
消耗功率：  不大于40W
使用環(huán)境溫度：  5～40℃
使用環(huán)境濕度：  ≤85%
主機重量：  4.4kg
外形尺寸：  320mm×270mm×90mm

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